Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Fe implantation effect in the 6H-SiC semiconductor investigated by Mossbauer spectrometry
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BSO - Titre
Fe implantation effect in the 6H-SiC semiconductor investigated by Mossbauer spectrometry
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DOI
DOI
10.1063/1.4992102
XX
DOAI
DOAI
10.1063/1.4992102
XX
Identifiant WoS
WOS:000409117200016
XX
Accès ouvert
OA - Oui
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Archive
XX
Editeur
AIP Publishing
XX
Source
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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ISSN
0021-8979
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/04H93WM9
12/10/2021 14:52:51 (latest)
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