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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
Flexible metal-semiconductor-metal device prototype on wafer-scale thick boron nitride layers grown by MOVPE
BSO - Titre
Flexible metal-semiconductor-metal device prototype on wafer-scale thick boron nitride layers grown by MOVPE
Identifiant WoS
WOS:000398824300003
Accès ouvert
OA - Oui
Source - Accès ouvert
OA - Oui
Type d'accès
Editeur
Editeur

Springer

Source

SCIENTIFIC REPORTS

ISSN
2045-2322
Type de document
  • Article
Notoriété
4 - Excellente
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INP - Institut de physique
  • INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
uid:/07D8M26C
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