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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
Geometry and bias dependence of trapping effects in planar GaN nanodiodes
BSO - Titre
Geometry and bias dependence of trapping effects in planar GaN nanodiodes
Identifiant WoS
WOS:000403327900045
Accès ouvert
OA - Non
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Non OA
Editeur

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers

Source

SPANISH CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES (CDE)

ISSN
2163-4971
Type de document
  • Meeting Abstract
Notoriété
0 - Sans notoriété
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
uid:/0NZSXKT8
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