Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Investigation on damaged planar-oxide of 1200 V SiC power MOSFETs in non-destructive short-circuit operation
XX
BSO - Titre
Investigation on damaged planar-oxide of 1200 V SiC power MOSFETs in non-destructive short-circuit operation
XX
DOI
DOI
10.1016/j.microrel.2017.06.085
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.microrel.2017.06.085
XX
Identifiant WoS
WOS:000414817500091
XX
Accès ouvert
OA - Oui
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Archive
XX
Editeur
Elsevier
XX
Source
MICROELECTRONICS RELIABILITY
XX
ISSN
0026-2714
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
2 - Acceptable
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INS2I - Institut des sciences de l'information et de leurs interactions
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/15XS0KNL
12/10/2021 14:52:56 (latest)
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