Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Back-gated InGaAs-on-insulator lateral N+NN+ MOSFET: Fabrication and typical conduction mechanisms
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BSO - Titre
Back-gated InGaAs-on-insulator lateral N+NN+ MOSFET: Fabrication and typical conduction mechanisms
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DOI
DOI
10.1016/j.sse.2016.10.019
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DOAI
DOAI
10.1016/j.sse.2016.10.019
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Identifiant WoS
WOS:000392680300014
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Accès ouvert
OA - Non
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Source - Accès ouvert
OA - Non
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Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
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Source
SOLID-STATE ELECTRONICS
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ISSN
0038-1101
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Type de document
Article
XX
Notoriété
2 - Acceptable
XX
CNRS
Oui
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CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/1BV48WP0
12/10/2021 14:52:34 (latest)
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