Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Ac conductivity and dielectric behavior of a - Si : H/c - Si1-y Ge-y/p - Si thin films synthesized by molecular beam epitaxial method
XX
BSO - Titre
Ac conductivity and dielectric behavior ofa−Si:H/c−Si1−yGey/p−Sithin films synthesized by molecular beam epitaxial method
XX
DOI
DOI
10.1016/j.jallcom.2017.02.117
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.jallcom.2017.02.117
XX
Identifiant WoS
WOS:000397994700093
XX
Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
XX
Source
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
XX
ISSN
0925-8388
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
5 - Exceptionnelle
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INC - Institut de chimie
XX
uid:/20ZQ24NC
12/10/2021 14:52:39 (latest)
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