Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Threading dislocation free GaSb nanotemplates grown by selective molecular beam epitaxy on GaAs (001) for in-plane InAs nanowire integration
XX
BSO - Titre
Threading dislocation free GaSb nanotemplates grown by selective molecular beam epitaxy on GaAs (001) for in-plane InAs nanowire integration
XX
DOI
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2016.12.029
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.jcrysgro.2016.12.029
XX
Identifiant WoS
WOS:000413646100010
XX
Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
XX
Source
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
XX
ISSN
0022-0248
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
2 - Acceptable
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/2BSWH14R
12/10/2021 14:52:55 (latest)
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