Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Low temperature deactivation of Ge heavily n-type doped by ion implantation and laser thermal annealing
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BSO - Titre
Low temperature deactivation of Ge heavily n-type doped by ion implantation and laser thermal annealing
XX
DOI
DOI
10.1063/1.4973461
XX
DOAI
DOAI
10.1063/1.4973461
XX
Identifiant WoS
WOS:000392834600018
XX
Accès ouvert
OA - Oui
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Inconnu
XX
Editeur
AIP Publishing
XX
Source
APPLIED PHYSICS LETTERS
XX
ISSN
0003-6951
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
4 - Excellente
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
XX
uid:/30Q5M458
12/10/2021 14:52:35 (latest)
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