Novel C-V measurements based method for the extraction of GaN buffer layer residual doping level in HEMT

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BSO - Titre

Novel C-V measurements based method for the extraction of GaN buffer layer residual doping level in HEMT

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DOAI

Identifiant WoS

WOS:000413082200033

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Non OA

Editeur

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers

Source

INTERNATIONAL CONFERENCE OF MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES (ICMTS)

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CNRS

Oui

CNRS - Institut

Poids de l’Open access dans la production CNRS