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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
Identification of GaN Buffer Traps in Microwave Power AlGaN/GaN HEMTs Through Low Frequency S-Parameters Measurements and TCAD-Based Physical Device Simulations
BSO - Titre
Identification of GaN Buffer Traps in Microwave Power AlGaN/GaN HEMTs Through Low Frequency S-Parameters Measurements and TCAD-Based Physical Device Simulations
Identifiant WoS
WOS:000400480000006
Accès ouvert
OA - Oui
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Editeur
Editeur

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers

Source

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY

ISSN
2168-6734
Type de document
  • Article
Notoriété
3 - Correcte
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
uid:/3CG5DNT2
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