Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Microscopic Hot-Carrier Degradation Modeling of SiGe HBTs Under Stress Conditions Close to the SOA Limit
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BSO - Titre
Microscopic Hot-Carrier Degradation Modeling of SiGe HBTs Under Stress Conditions Close to the SOA Limit
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DOI
DOI
10.1109/ted.2017.2653197
XX
DOAI
DOAI
10.1109/ted.2017.2653197
XX
Identifiant WoS
WOS:000396056700029
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Accès ouvert
OA - Non
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers
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Source
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
XX
ISSN
0018-9383
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/3WJ61DWV
12/10/2021 14:52:38 (latest)
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