The structure of InAlGaN layers grown by metal organic vapour phase epitaxy: effects of threading dislocations and inversion domains from the GaN template

Titre

BSO - Titre

The structure of InAlGaN layers grown by metal organic vapour phase epitaxy: effects of threading dislocations and inversion domains from the GaN template

DOI

DOI10.1111/jmi.12651

DOAI

DOAI10.1111/jmi.12651

Identifiant WoS

WOS:000415900300008

Accès ouvert

OA - Oui

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OA - Non

Type d'accès

Editeur

Wiley

Source

JOURNAL OF MICROSCOPY

ISSN

0022-2720

Type de document

Article

Notoriété

3 - Correcte

CNRS

Oui

CNRS - Institut

INP - Institut de physique

uid:/76C7KZ65

Poids de l’Open access dans la production CNRS