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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
A non-volatile resistive memory effect in 2,2 ',6,6 '-tetraphenyl-dipyranylidene thin films as observed in field-effect transistors and by conductive atomic force microscopy (vol 7, pg 3336, 2017)
BSO - Titre
Correction: A non-volatile resistive memory effect in 2,2′,6,6′-tetraphenyl-dipyranylidene thin films as observed in field-effect transistors and by conductive atomic force microscopy
Identifiant WoS
WOS:000393761600047
Accès ouvert
OA - Oui
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Editeur
Editeur

RSC - Royal Society of Chemistry

Source

RSC ADVANCES

ISSN
2046-2069
Type de document
  • Correction, Addition
Notoriété
3 - Correcte
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INC - Institut de chimie
uid:/916TGZ6D
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