Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Study of selective "chemical downstream plasma etching" of silicon nitride and silicon oxide for advanced patterning applications
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BSO - Titre
Study of selective chemical downstream plasma etching of silicon nitride and silicon oxide for advanced patterning applications
XX
DOI
DOI
10.1117/12.2257927
XX
DOAI
DOAI
10.1117/12.2257927
XX
Identifiant WoS
WOS:000404883100009
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Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
SPIE
XX
Source
ADVANCED ETCH TECHNOLOGY FOR NANOPATTERNING VI
XX
ISSN
0277-786X
XX
Type de document
Meeting Abstract
XX
Notoriété
0 - Sans notoriété
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/C0R2XLW1
12/10/2021 14:52:46 (latest)
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