Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Single-event-transient effects in Junctionless Double-Gate MOSFETs with Dual-Material Gate investigated by 3D simulation
XX
DOI
DOI
10.1016/j.microrel.2017.07.04
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.microrel.2017.07.04
XX
Identifiant WoS
WOS:000414817500134
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Accès ouvert
OA - Inconnu
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Source - Accès ouvert
OA - Inconnu
XX
Type d'accès
Inconnu
XX
Editeur
Inconnu
XX
Source
MICROELECTRONICS RELIABILITY
XX
ISSN
0026-2714
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
2 - Acceptable
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
XX
uid:/CVWM1JX6
12/10/2021 14:52:56 (latest)
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