Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Enhanced Intrinsic Voltage Gain in Artificially Stacked Bilayer CVD Graphene Field Effect Transistors
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BSO - Titre
Enhanced Intrinsic Voltage Gain in Artificially Stacked Bilayer CVD Graphene Field Effect Transistors
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DOI
DOI
10.1002/andp.201700106
XX
DOAI
DOAI
10.1002/andp.201700106
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Identifiant WoS
WOS:000414808800021
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Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Wiley
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Source
ANNALEN DER PHYSIK
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ISSN
0003-3804
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Type de document
Article
XX
Notoriété
4 - Excellente
XX
CNRS
Oui
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CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/D06N1Q0Z
12/10/2021 14:52:56 (latest)
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