Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14 nm UTBB FDSOI technology
XX
BSO - Titre
Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14nm UTBB FDSOI technology
XX
DOI
DOI
10.1016/j.sse.2016.10.011
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.sse.2016.10.011
XX
Identifiant WoS
WOS:000392680300013
XX
Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
XX
Source
SOLID-STATE ELECTRONICS
XX
ISSN
0038-1101
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
2 - Acceptable
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
XX
uid:/D40D3DFH
12/10/2021 14:52:34 (latest)
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