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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
Effect of La and Al addition used for Threshold Voltage shift on the BTI reliability of HfON-based FDSOI MOSFETs
BSO - Titre
Effect of La and Al addition used for threshold voltage shift on the BTI reliability of HfON-based FDSOI MOSFETs
DOI
DOAI
Identifiant WoS
WOS:000416068500006
Accès ouvert
OA - Non
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Non OA
Editeur

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers

Source

IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS)

ISSN
1541-7026
Type de document
  • Meeting Abstract
Notoriété
0 - Sans notoriété
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
uid:/DG2CZFBV
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