Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Effect of Ge-doping on the short-wave, mid- and far-infrared intersubband transitions in GaN/AlGaN heterostructures
XX
BSO - Titre
Effect of Ge-doping on the short-wave, mid- and far-infrared intersubband transitions in GaN/AlGaN heterostructures
XX
DOI
DOI
10.1088/1361-6641/aa919c
XX
DOAI
DOAI
10.1088/1361-6641/aa919c
XX
Identifiant WoS
WOS:000413835400002
XX
Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
IOP Publishing
XX
Source
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
XX
ISSN
0268-1242
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
XX
uid:/G94CZRVJ
12/10/2021 14:52:55 (latest)
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