Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Sub-10nm plasma nanopatterning of InGaAs with nearly vertical and smooth sidewalls for advanced n-fin field effect transistors on silicon
XX
BSO - Titre
Sub-10 nm plasma nanopatterning of InGaAs with nearly vertical and smooth sidewalls for advanced n-fin field effect transistors on silicon
XX
DOI
DOI
10.1116/1.4975796
XX
DOAI
DOAI
10.1116/1.4975796
XX
Identifiant WoS
WOS:000397858500036
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Accès ouvert
OA - Non
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
American Vacuum Society
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Source
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
XX
ISSN
1071-1023
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
2 - Acceptable
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/H7190FK1
12/10/2021 14:52:39 (latest)
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