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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
Engineering Chemically Active Defects in Monolayer MoS2 Transistors via Ion-Beam Irradiation and Their Healing via Vapor Deposition of Alkanethiols
BSO - Titre
Engineering Chemically Active Defects in Monolayer MoS2 Transistors via Ion-Beam Irradiation and Their Healing via Vapor Deposition of Alkanethiols
Identifiant WoS
WOS:000400636400027
Accès ouvert
OA - Non
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Non OA
Editeur

Wiley

Source

ADVANCED MATERIALS

ISSN
0935-9648
Type de document
  • Article
Notoriété
5 - Exceptionnelle
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INC - Institut de chimie
uid:/HPB84S49
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