Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Gate patterning strategies to reduce the gate shifting phenomenon for 14 nm fully depleted silicon-on-insulator technology
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BSO - Titre
Gate patterning strategies to reduce the gate shifting phenomenon for 14 nm fully depleted silicon-on-insulator technology
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DOI
DOI
10.1116/1.4972228
XX
DOAI
DOAI
10.1116/1.4972228
XX
Identifiant WoS
WOS:000397762400014
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Accès ouvert
OA - Non
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
American Vacuum Society
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Source
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A
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ISSN
0734-2101
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/J91HL02V
12/10/2021 14:52:39 (latest)
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