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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre

Impact of Gate-Drain Spacing on Low-Frequency Noise Performance of In Situ SiN Passivated InAlGaN/GaN MIS-HEMTs

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BSO - Titre

Impact of Gate-Drain Spacing on Low-Frequency Noise Performance of In Situ SiN Passivated InAlGaN/GaN MIS-HEMTs

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DOI

DOI10.1109/ted.2017.2703809

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DOAI

DOAI10.1109/ted.2017.2703809

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Identifiant WoS

WOS:000403452900007

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Accès ouvert

OA - Oui

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Source - Accès ouvert

OA - Non

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Type d'accès

Archive

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Editeur

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers

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Source

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

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ISSN

0018-9383

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Type de document

Article

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Notoriété

3 - Correcte

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CNRS

Oui

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CNRS - Institut

INP - Institut de physique
INS2I - Institut des sciences de l'information et de leurs interactions
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes

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