Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Capacitance-voltage characterization of Al2O3/GaN-on-insulator (GaNOI) structures with TMAH surface treatment
XX
BSO - Titre
Capacitance-voltage characterization of Al 2 O 3 /GaN-on-insulator (GaNOI) structures with TMAH surface treatment
XX
DOI
DOI
10.1016/j.mee.2017.05.032
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.mee.2017.05.032
XX
Identifiant WoS
WOS:000404703800050
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Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
XX
Source
MICROELECTRONIC ENGINEERING
XX
ISSN
0167-9317
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/JZR8NRDK
12/10/2021 14:52:46 (latest)
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