decoration

Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
Analog/RF Study of Self-aligned In0.53Ga0.47As MOSFET with Scaled Gate Length
BSO - Titre
Analog/RF Study of Self-aligned In0.53Ga0.47As MOSFET with Scaled Gate Length
Identifiant WoS
WOS:000392291200012
Accès ouvert
OA - Non
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Non OA
Editeur

Springer

Source

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

ISSN
0361-5235
Type de document
  • Article
Notoriété
2 - Acceptable
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
uid:/N4R7PJG3
Powered by Lodex 9.6.0
decoration