Poids de l’Open access dans la production CNRS
Home
Resources
Graphs
Search
Export
Sign in
Titre
Atomic layer deposition of HfO2 for integration into three-dimensional metal-insulator-metal devices
XX
BSO - Titre
Atomic layer deposition of $\text {HfO}_2$ HfO 2 for integration into three-dimensional metal-insulator-metal devices
XX
DOI
DOI
10.1007/s00339-017-1379-2
XX
DOAI
DOAI
10.1007/s00339-017-1379-2
XX
Identifiant WoS
WOS:000416484200036
XX
Accès ouvert
OA - Oui
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Archive
XX
Editeur
Springer
XX
Source
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
XX
ISSN
0947-8396
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
2 - Acceptable
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INC - Institut de chimie
INP - Institut de physique
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/NB9TM35R
12/10/2021 14:52:58 (latest)
Add field
Share/Export
Powered by
Lodex
9.6.0
