Poids de l’Open access dans la production CNRS
Home
Resources
Graphs
Search
Export
Sign in
Titre
Electrical Runaway in AIGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability
XX
BSO - Titre
Electrical Runaway in AlGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability
XX
DOI
DOI
10.1109/ted.2017.2669368
XX
DOAI
DOAI
10.1109/ted.2017.2669368
XX
Identifiant WoS
WOS:000398818400020
XX
Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers
XX
Source
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
XX
ISSN
0018-9383
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/NCS6BQXD
12/10/2021 14:52:40 (latest)
Add field
Share/Export
Powered by
Lodex
9.6.0
