Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Plasma-enhanced chemical vapor deposition epitaxy of Si on GaAs for tunnel junction applications in tandem solar cells
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BSO - Titre
Plasma-enhanced chemical vapor deposition epitaxy of Si on GaAs for tunnel junction applications in tandem solar cells
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DOI
DOI
10.1117/1.jpe.7.022504
XX
DOAI
DOAI
10.1117/1.jpe.7.022504
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Identifiant WoS
WOS:000406037700006
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Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
SPIE
XX
Source
JOURNAL OF PHOTONICS FOR ENERGY
XX
ISSN
1947-7988
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/NWV3258C
12/10/2021 14:52:48 (latest)
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