Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Three-dimensional SiGe/Si heterostructures: Switching the dislocation sign by substrate under-etching
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BSO - Titre
Three-dimensional SiGe/Si heterostructures: Switching the dislocation sign by substrate under-etching
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DOI
DOI
10.1103/physrevmaterials.1.073602
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DOAI
DOAI
10.1103/physrevmaterials.1.073602
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Identifiant WoS
WOS:000418774700001
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Accès ouvert
OA - Non
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
APS - American Physical Society
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Source
PHYSICAL REVIEW MATERIALS
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ISSN
2475-9953
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
0 - Sans notoriété
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
XX
uid:/PMXF3GRB
12/10/2021 14:52:59 (latest)
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