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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
A 130 to 170 GHz Integrated Noise Source based on Avalanche Silicon Schottky Diode in BiCMOS 55 nm for In-Situ noise characterization
BSO - Titre
A 130 to 170 GHz integrated noise source based on avalanche silicon Schottky diode in BiCMOS 55 nm for in-situ noise characterization
DOI
DOAI
Identifiant WoS
WOS:000413082200017
Accès ouvert
OA - Non
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Non OA
Editeur

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers

Source

INTERNATIONAL CONFERENCE OF MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES (ICMTS)

Type de document
  • Proceedings Paper
Notoriété
0 - Sans notoriété
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
uid:/QDGTBQB3
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