Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
A comparative TCAD simulations of a P-and N-type organic field effect transistors: field-dependent mobility, bulk and interface traps models
XX
BSO - Titre
A comparative TCAD simulations of a P-and N-type organic field effect transistors: field-dependent mobility, bulk and interface traps models
XX
DOI
DOI
10.1007/s10854-017-6480-y
XX
DOAI
DOAI
10.1007/s10854-017-6480-y
XX
Identifiant WoS
WOS:000401266700038
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Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Springer
XX
Source
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
XX
ISSN
0957-4522
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/QLSFMKGP
12/10/2021 14:52:42 (latest)
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