Poids de l’Open access dans la production CNRS
Home
Resources
Graphs
Search
Export
Sign in
Titre
Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique
XX
BSO - Titre
Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique
XX
DOI
DOI
10.1016/j.sse.2016.10.039
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.sse.2016.10.039
XX
Identifiant WoS
WOS:000389160200003
XX
Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
XX
Source
SOLID-STATE ELECTRONICS
XX
ISSN
0038-1101
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
2 - Acceptable
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/R8ZJR7S7
12/10/2021 14:52:33 (latest)
Add field
Share/Export
Powered by
Lodex
9.6.0
