Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Effect of doping on the intersubband absorption in Si- and Ge-doped GaN/AlN heterostructures
XX
BSO - Titre
Effect of doping on the intersubband absorption in Si- and Ge-doped GaN/AlN heterostructures
XX
DOI
DOI
10.1088/1361-6528/aa8504
XX
DOAI
DOAI
10.1088/1361-6528/aa8504
XX
Identifiant WoS
WOS:000410447800004
XX
Accès ouvert
OA - Oui
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Editeur
XX
Editeur
IOP Publishing
XX
Source
NANOTECHNOLOGY
XX
ISSN
0957-4484
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
4 - Excellente
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
XX
uid:/TDJRBNQF
12/10/2021 14:52:51 (latest)
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