Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
In-depth porosity control of mesoporous silicon layers by an anodization current adjustment
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BSO - Titre
In-depth porosity control of mesoporous silicon layers by an anodization current adjustment
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DOI
DOI
10.1063/1.4997228
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DOAI
DOAI
10.1063/1.4997228
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Identifiant WoS
WOS:000417494300020
XX
Accès ouvert
OA - Non
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
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Editeur
AIP Publishing
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Source
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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ISSN
0021-8979
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
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uid:/VHKF6NV5
12/10/2021 14:52:58 (latest)
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