Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
A detailed study of AlN and GaN grown on silicon-on-porous silicon substrate
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BSO - Titre
A detailed study of AlN and GaN grown on silicon-on-porous silicon substrate
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DOI
DOI
10.1002/pssa.201600450
XX
DOAI
DOAI
10.1002/pssa.201600450
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Identifiant WoS
WOS:000402158300013
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Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
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Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Wiley
XX
Source
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
XX
ISSN
1862-6300
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/XJ8MNHPN
12/10/2021 14:52:43 (latest)
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