Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Optical and electrical properties of nanostructured implanted silicon n(+)-p junction passivated by atomic layer deposited Al2O3
XX
BSO - Titre
Optical and electrical properties of nanostructured implanted silicon n + -p junction passivated by atomic layer deposited Al 2 O 3
XX
DOI
DOI
10.1016/j.physe.2017.06.017
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.physe.2017.06.017
XX
Identifiant WoS
WOS:000407746900028
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Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
XX
Source
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
XX
ISSN
1386-9477
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/XQKCQRKF
12/10/2021 14:52:50 (latest)
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