Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Evolution and prevention of meltback etching: Case study of semipolar GaN growth on patterned silicon substrates
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BSO - Titre
Evolution and prevention of meltback etching: Case study of semipolar GaN growth on patterned silicon substrates
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DOI
DOI
10.1063/1.5001914
XX
DOAI
DOAI
10.1063/1.5001914
XX
Identifiant WoS
WOS:000410749300031
XX
Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
AIP Publishing
XX
Source
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
XX
ISSN
0021-8979
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
XX
uid:/ZK2QZ1T0
12/10/2021 14:52:52 (latest)
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